Použitie odparovania elektrónového lúča

Aplikácia odparovanie elektrónového lúča-príprava TiO2 fólie odparovaním elektrónového lúča

Náter princíp elektrónového lúča odparovanie na prípravu TiO2 film, pomocou INTEGRITY-39 automatický optický povlak systém s ION lúč asistovanej elektrónovým lúčom odparovaním, ako je znázornené na obrázku nižšie.

1. prívod chladiacej vody; 2. zásuvka chladiacej vody; 3. téglik; 4. lúč cievky; 5. vysielač elektrónového lúča; 6. vykurovacie svietidlo; 7. rám podkladu; 8. motor; 9. monitorovací film; 10. Pracovné napätie vzorky elektrónovej pištole pripravené Ion zdroj pokovovanie je 10 kV, prúd je 200 a, a depozícia teplota vákuovej komory je 145 ~ 155 ° c. Čierny granulovaný Ti2O3 s čistotou 99,99% bol vybraný pre membránový materiál. CC-105 studený katóda Ion lúč bol použitý pre pomocné usadeniny. Počas depozície bola vákuová komora naplnená O2 s čistotou 99,99% ako reakčného plynu. Pred náterom sa substrát vyčistí skleneným roztokom, opláchne sa deionizovanouvodou a vysušené dusíkom. Potom sa substrát vyčistí s 99,9% acetónom a bezvodým etanolom ultrazvukovou vlnou pre 15 min. Po vysušení špeciálnym utrite papier, je naložený do vákuovej komory. Pri vákuu je čerpaná do 6,5 × 10-4PA mechanickým čerpadlom a difúzne čerpadlo, automatické pokovovanie proces je nastavený. Keď sa substrát zahrieva na teplotu depozície 150 ° c, zdroj iónov začína bombardovanie substrátom a energia je kontrolovaná na 60 ~ 90 EV 10 min.

potom sa elektrónová pištoľ automaticky spustí na vykurovanie a odparovanie filmového materiálu a miera ukladania je 0,38 ~ 0,42 nm/s. Keď je film uložený na konštruknej hrúbke 440 nm, program automaticky zavrie elektrónové pištole a pokovovanie je dokončené. Po povlaku bola vákuová komora prirodzene ochladená na izbovú teplotu a vzorka bola odobratá. Spektrálny test vzorky TiO2 bol vykonaný s Lambda900 (skúšobný rozsah 175 ~ 3 300 nm) spektrofotometer. Skutočná hrúbka, koeficient extinkcie a index lomu TiO2 filmu boli vypočítané metódou Macleod Software obálka. Účinky rôznych vákuových stupňov na filme tvárnenie kvalitnéy, index lomu a absorpčný koeficient TiO2 sa skúmali s rôznymi tokmi kyslíka s vysokou čistotou do vákuovej komory. Keď TiO2 tenký film je uložená odparovaním pomáha Ion zdrojom vo vysokej vákuovej miery, zmena vákuového stupňa s prechodom kyslíka je uvedený v nasledujúcej tabuľke. Ako molekuly kyslíka vo vákuovej komore sú ionizované na kyslíkové ióny a reagujú s molekulami Ti2O3 Vapor úplne, kyslík stratil v rozkladu Ti2O3 je doplňovaný, a výsledné TiO2 vo filme je pomerne čistá. Ak je však prívod kyslíka nedostatočný alebo reakcia medzi Ti2O3 a O2 nie je dostatočná, high-absorpčný film oxidu titaničitého tino2n-1 (n = 1,2,..., 10). S nárastom toku kyslíka sa zvyšuje zrážka medzi molekulami TiO2 pary a molekulami kyslíka v procese zvyšovania nárastu odparovania a stráca sa energia, čo znižuje kinetickú energiu TiO2 vloženú na povrch podkladu a ovplyvňuje priľnavosť a densifikáciu uloženého filmu. Pri optických tenkých filmoch môže asistovať zdroj iónov zvýšiť kinetickú energiu molekúl na povrchu podkladu, nielenže má významný vplyv na index lomu filmu, ale tiež môže zlepšiť hustotu filmu a odolnosť voči vlhkosti a tiež výrazne zlepšiť filmovú priľnavosť na substráte.

IKS-OPT2700 optický E-Gun vákuové povlak stroj, viac informácií, kontakt: iks.pvd@foxmail.com