Vplyv teploty podkladu na rýchlosť nanášania tenkých vrstiev ZAO

Obrázok 4 ukazuje, že rýchlosť nanášania je necitlivá na zmeny teploty substrátu. Parametre procesu sú: reakčný tlak je 0,7 Pa, prietokový pomer plynu O2 a plyn Ar je 3/20, výkon rozprašovania 140 W. So zvýšením teploty substrátu je adhézny koeficient atómov plynnej fázy na povrchu substrátu zvyšuje a rýchlosť depozície by sa mala znížiť. Účinok v tomto experimente však nie je veľký. Je to pravdepodobne z dôvodu, že prístroj ukazuje, že teplota nezodpovedá skutočnej teplote alebo v dôsledku poškodenia leptaním povrchom substrátu rozprašovanými časticami.

Dva body pri 170 ° C a 230 ° C sú zakreslené na krivke z obrázku 4 a vynesené na obrázku 4.1, ostatné parametre procesu zostávajú rovnaké. Je zrejmé, že pri nižšej prietokovej rýchlosti je rýchlosť depozície v podstate nezmenená a náhle zmeny v rýchlosti nanášania sú v oboch bodoch takmer rovnaké, ale pri vyššej prietokovej rýchlosti sa rýchlosť nanášania stáva vyššou, ako je teplota substrátu zvyšuje. Preto vysoká teplota nemôže oddialiť jav cieľovej otravy, ale môže znížiť rýchlosť zmeny rýchlosti depozície. Z obrázku 4.1 možno vidieť, že zmena parametra reakčného tlaku, naprašovania alebo teploty nanášania, rýchlosť nanášania filmu je v súlade s trendom prietoku O2, bude prechádzať z kovového módu na oxidového spôsobu, a to jednak kvôli cieľovej otravy. Teda, tlak plynu, výkon a teplota sa môžu vhodne zvýšiť, aby sa dosiahla vyššia rýchlosť depozície na zmiernenie fenoménu otravy cieľa.

Obr.4 Vzťah medzi teplotou podkladu a rýchlosťou nanášania

Obr. 4.1 Vzťah medzi prietokom plynu O2 a rýchlosťou nanášania pri rôznych teplotách podkladu