Techniky depozície pár a ich klasifikácia
May 23, 2019| Techniky depozície pár a ich klasifikácia
Parná depozícia je technika vytvárania funkčných filmových vrstiev na povrchu substrátu. Je to depozícia stredných alebo viacvrstvových, jednoduchých alebo zložených filmových vrstiev na povrchu výrobku s použitím fyzikálnych alebo (a) chemických reakcií látky v plynnej fáze, aby sa získali rôzne vynikajúce vlastnosti, ktoré sú požadované na povrchu. povrchu výrobku.
Ako spôsob povrchového nanášania je základným krokom ukladania pary odparovanie, transport a nakoniec ukladanie materiálov, ktoré je potrebné pokovovať. Jeho hlavnou črtou je, že bez ohľadu na to, či je potrebné pokovovať pôvodné materiály, sú tuhé, kvapalné alebo plynné, musia byť transformované na morfológiu v plynnej fáze pre migráciu počas prepravy a nakoniec dosiahnuť povrch obrobku na ukladanie a kondenzáciu.
Existujú dva druhy ukladania pary, chemického pokovovania parou a fyzikálnej depozície pár.
Prvé prchavé kvapalné TiCl sa mierne zahrievalo, aby sa získal plynný TiCl a plyn NH3, ktoré sa spoločne zaviedli do vysokoteplotnej reakčnej komory. Tieto reakčné plyny sa rozložili a potom sa uskutočnili chemické reakcie podľa termodynamických princípov na vysokoteplotnom pevnom povrchu za vzniku TiN a HCL. HCL bol odstránený a TiN bol nanesený na pevný povrch za vzniku pevného pevného filmu. Chemická depozícia parou je proces, pri ktorom sa neprchavá pevná látka vytvára chemickou reakciou na pevnom povrchu medzi prchavou zlúčeninou a plynnou látkou obsahujúcou prvky tvoriace tenký film.
Súčasne ľudia dávajú iný druh depozície pary, a to prostredníctvom vysokoteplotného zohrievania kovov alebo zlúčenín kovov odparených do plynnej fázy, alebo cez elektronickú plazmu, a fotón môže nabiť častice, ktoré môžu ukázať, že kovový alebo zložený terč rozprašuje zodpovedajúce atómy. , ióny, molekuly (plyn), ukladajú sa do pevného filmu na pevnom povrchu, ktorý nezahŕňa fyzikálne chemické reakcie (rozklad alebo kombináciu), známe ako fyzikálne pokovovanie zrážaním párou, s vývojom technológie nanášania pary a aplikácie vyššie uvedených dvoch typov. z depozície pár každý má novú techniku a technologický obsah, kríženie medzi týmito dvoma, je ťažké presne rozlíšiť medzi chémiou alebo fyzikou.Napríklad, plazma a iónový lúč sú zavedené do odparovania a rozprašovania tradičnej technológie fyzikálneho vylučovania z plynnej fázy, aby sa zúčastnili procesu poťahovania. Súčasne sa do procesu zavádza reaktívny plyn. Chemické reakcie sa môžu tiež uskutočňovať na pevnom povrchu za vzniku nového syntetického filmu na pevnej fáze, ktorý sa nazýva reaktívne pokovovanie. Reakčný plyn N2 sa zaviedol do plazmového rozprašovacieho titánu (Ti) a ako príklad sa syntetizoval TiN. To znamená, že fyzikálne pokovovanie parou môže tiež zahŕňať chemické reakcie. Vo vnútornom vetraní do reakcie metánu, napríklad s pomocou W cieľový výboj katódového oblúka, plazma v Ar, W pôsobením rozkladu metánu a tuhý povrch na rekombináciu uhlíkových väzieb, generovanie zmiešaného uhlíkového filmu podobného diamantu typu W, osoby používané na ukladanie do procesu depozície v chemickej depozícii pár , ale je to v typickej fyzikálnej technológii depozície pár, kovového katódového oblúkového iónového pokovovania. Okrem toho ľudia dávajú plazmu, technológiu iónového lúča do tradičného procesu chemickej depozície chemikálií, chemická reakcia v plnej miere nespĺňa tradičný princíp termodynamiky, pretože plazma má lepšiu chemickú aktivitu, môže byť omnoho nižšia ako tradičná realizácia termodynamiky chemickej reakcie pod teplotou reakcie metóda známa ako plazmová chemická depozícia v plynnom skupenstve s plazmovou asistenciou (PACVD; niektoré materiály sa nazývajú plazmové chemické depozície (PECVD) so zvýšenou plazmou, ktoré dávajú chemickú depozíciu pary fyzikálnejší význam.
Jediným rozdielom medzi chemickým pokovovaním parou a fyzikálnym ukladaním pár je teraz morfológia povlakových materiálov. Bývalé USES prchavé zlúčeniny alebo plynné materiály, zatiaľ čo posledný USES tuhé (alebo kvapalné) materiály. Zdá sa, že toto rozlíšenie stratilo podstatu pôvodnej definície.
Podľa existujúcich zvyklostí, najmä vo forme pokovovacieho materiálu, rozlišujeme rozdiel medzi chemickým vylučovaním z pary, fyzikálnym usadzovaním pár, pevným (kvapalným) materiálom pokovovania vysokou teplotou a odparovaním, naprašovaním, elektrónovým lúčom, plazmou, iónovým lúčom, laserový lúč a oblúk a iné formy energie produkované atómami plynu, molekuly, transport iónov (plyn, plazma), kondenzácia tuhého usadzovania na povrchu (vrátane chemických reakcií s inými reakčnými látkami vznikajúcimi pri reakcii plynných fáz), za vzniku pevnej látky proces fázovej membrány známy ako fyzikálne pokovovanie zrážaním parou.
IKS PVD ， výroba fyzikálnych depozícií vákuových náterových zariadení vapor kontakt ： iks.pvd@foxmail.com
